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不外，有另外一專業人士指出，「iPhone處置懲罰器也是基於ARM架構設計，但iPhone曆來沒有過熱和效能不佳的問題」，是以推導發燒問題應該是製造製程、AP利用處置器設計、系統其他元件和手機自己效能等各類因素的綜合後果，非單一身分影響。

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（封面示意圖／unsplash）

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由高通研發的驍龍和三星Exynos的AP運用處置器，近些年來被外界攻讦發熱、效能、功耗等浮現都欠安，儘管比來的Snapdragon 8 Gen 1略微解決效能、功耗問題，但過熱的問題仍沒有解決。

近日韓國三星的S22系列被爆出，內建軟體自砍處置器效能避免過熱，事實上，採用高通或三星處置懲罰器的Android旗艦手機，這2年因過熱問題遭到攻讦，有南韓業內人士認為，應當是ARM架構設計而至。

廚房 設計 原則憑據韓媒Businesskorea報道，先前有消息指出，高通研發的Snapdragon 8 Gen 1 plus因三星的4奈米製程良率低，所以轉單給台積電生產，不外隨後傳出，即便台積電登板救濟，在發熱的改良上也不太幻想，但新聞均未獲證實。

有名業內子士認為，不論是三星還是台積電，用同方式做出的晶片都存在不異問題，「可見導致過熱的主因不是製造工藝，而是自己的ARM架構設計」這句話是暗示，發燒問題跟三星製程無關。